长鑫科技2026年上半年营收1503亿元,同比增874%,规模净利润776亿元,同比扭亏799亿元,毛利率近85%创历史峰值;二季度全球DRAM营收份额达9.5%,与海外巨头差距加速缩小。公司产品结构向高附加值企业级升级,2026年上半年DDR芯片营收占比升至52%,替代此前消费级为主的结构。行业端DRAM下半年需求旺盛、供不应求,价格有望持续上涨,公司作为国产DRAM龙头,产能持续增长、产品结构优化,将充分受益于存储涨价周期,引领国产化浪潮。
中泰电子 深度精选再汇报二存储长鑫科技深度汇报
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中泰电子深度精选再汇报三国产算力
本次会议聚焦国产算力,核心围绕模型侧变化展开,提及AI模型算力重心从训练向推理迁移,模型结构向MoE、长上下文、多模态演变,生态格局向国产开源模型适配转变。这些变化使算力需求从单卡极限算力转向显存带宽、互联及生态协同,降低了国产芯片适配难度,为国产算力产业链追赶提供契机,同时指出国产芯片仍面临代工、先进制成等卡脖子问题。
长江电子深度汇报美光科技:AI驱动存储龙头高速增长
本次会议围绕美光科技深度报告展开,覆盖存储行业格局、AI拉动需求及美光基本面。存储行业兼具周期与成长属性,核心为DRAM、NAND Flash,高度垄断且采用IDM模式;本轮周期因AI需求不同,未来几年存储需求年增速预计30%,头部原厂签3-5年长单,合约价高位窄震,HBM、通用DRAM、NAND Flash均受益于AI,HBM供需缺口持续,技术有望明年起量。美光是全球存储龙头,DRAM、NAND Flash市占率分别23%、13%,产品全品类,2025年随AI存储需求业绩转正,今年业绩加速,营收近七三开,数据中心收入占比近60%,2025年起资本开支增长,需关注行业周期波动、AI技术迭代及美光产能等风险。
中泰电子 长鑫科技 国产DRAM龙头加速打破海
长鑫存储为国内最大、全球第四大DRAM原厂,产品覆盖DDR5、LPDDR系列等,HBM3预计2026年量产;合肥、北京3座12英寸晶圆厂预计2026年达产,上海产线2026年底/2027年量产,产能规划为合肥总部2-3倍。其LPDDR6研发近尾声,2026年下半年发布量产,性能与海外大厂持平,低功耗、RAS功能显著优化。AI驱动下服务器DRAM占比2026年或达50%-60%,行业供需紧张价格有望上涨,2026年Q1长鑫营收份额7.7%,国产替代空间广阔。
中泰电子 长鑫科技 国产DRAM龙头加速打破海外垄断 LPDDR6有望H2量产导入
长鑫LPDDR6研发验证近尾声,有望2026年下半年发布量产,设计速率12.8Gbps,采用1295 Ball POP封装,低功耗与RAS功能较LPDDR5X显著优化,性能及量产节点与海外大厂基本持平。公司现有DDR5、LPDDR系列等产品,HBM3预计2026年量产;合肥、北京3座12英寸DRAM厂2026年全部达产,将提升G4产品销量占比,上海DRAM及HBM产线加速建设,2026年底或2027年量产,产能规划为合肥总部2-3倍。AI驱动DRAM需求爆发,服务器DRAM占比2026年或达50%-60%,行业供需紧张,价格有望持续上行;2026年一季度长鑫DRAM营收份额7.7%,国产化空间广阔。
中泰电子长鑫科技国产DRAM龙头加速打破海外垄断LPDDR6有望H2量产导入
长鑫科技作为国产DRAM龙头,正加速打破海外垄断:LPDDR6研发近尾声,有望2026年下半年发布量产,设计速率12.8Gbps,性能与海外大厂持平,低功耗、可靠性较LPDDR5X显著优化。公司产品布局丰富,含DDR5、LPDDR系列等,HBM3预计2026年量产;现有合肥、北京3座12英寸晶圆厂,2026年将全部达产并提升G4产品占比,上海DRAM及HBM产线加速建设,2026年底或2027年量产,产能规划达合肥总部2-3倍。行业端AI驱动DRAM需求爆发,服务器DRAM占比2026年或升至50%-60%,2026年供需紧张、价格有望上行;2026年Q1长鑫营收份额7.7%,海外三大原厂占90%,国产替代空间广阔。