本次会议聚焦国产存储产业链投资机遇,存储涨价潮已从AI数据中心传导至消费级,三星2027年苹果存储报价同比涨30%-40%,服务器DRAM涨幅超20%,三大原厂产能已锁定,客户配额仅60%-70%,供需收紧。存储原厂向高端产能倾斜,2026年NAND晶圆产量下调,苹果因存储涨价上调产品售价,安卓或跟进。二季度DRAM市场营收同比增385%,设备端景气上修,国内设备国产化率升至35%,ASML拟扩产EUV,3D NAND、HBM升级带动设备需求。产业链核心标的涵盖存储芯片、模组封测、设备等细分赛道,如江波龙上半年企业级存储收入同比增208.8%,北方华创等为国产设备替代核心标的。
苹果存储采购价传涨30 -40 ASML拟再扩EUV产能存储涨价周期与设备扩产共振
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AI算力驱动涨价周期与国产替代共振存储芯片产业链投资机遇分析
本次会议聚焦存储芯片产业链投资机遇:三星对苹果存储涨价30%-40%,iPhone 18 Pro存储成本同比涨近400%,苹果已上调全系售价。三大原厂2027年DRAM/HBM产能售罄、NAND产能锁定,主动削减消费级产能向HBM和服务器存储倾斜,PC DRAM、NAND均价连续上涨。ASML拟扩产EUV,全球半导体设备销售额创历史新高。存储芯片设计与模组、先进封装、半导体设备为投资主线,江波龙等企业级存储标的业绩弹性显著,北方华创等设备龙头受益扩产周期。
存储扩产驱动设备机遇
AI驱动全球存储行业进入量价齐升周期,美光最新季度营收136.4亿美元,同比增57%、环比增21%,净利润同比增169%、环比增58%,DRAM与NAND供不应求,供应链紧张持续至2026年,国内“China for China”需求旺盛、国产替代空间大。存储扩产拉动半导体设备订单,NAND向200层以上发展,薄膜沉积、刻蚀设备需求成倍增长;HBM相关键合设备国内待突破,先进封装需求提升。重点关注拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、中科飞测等设备厂商,优先布局薄膜沉积、刻蚀等方向。
天风电子板块当前主要观点20260301长存长鑫扩产有望超预期存储继续
本周电子板块核心热点为长存、长鑫新一轮招标采购,产业链预计今年两存扩产从原10万片上调至12万片,叠加福建晋华、大连Intel各1-2万片扩产,国内DRAM及NAND扩产规模超预期;天风电子板块2026年3月1日观点显示,存储行业持续涨价,叠加国产模型token调用量爆发式增长,看好存力、算力及国产算力产业链持续修复。
产业趋势确定不必博弈确定性事件节点调整即建仓机会继续推荐存储设备材
本次会议聚焦存储设备材料产业链,全球层面Trendforce上修26Q1 DRAM、NAND合约价涨幅至55-60%、33-38%,海外原厂开支有望超预期,AI驱动存储需求提升加剧供需失衡;国内长鑫IPO后利润高弹性释放,募资295亿用于扩产及新工艺开发,预计将大幅超募赋能后续发展。25Q4单季净利润80-95亿,归母净利润37-47亿,价格持续上涨,2026年业绩高弹性。会议继续推荐该产业链,核心逻辑为全球存储高景气、两存国产替代、设备国产替代三重共振,重点推荐拓荆科技、微导纳米等标的。
浦银国际存储行业最新情况专家访谈会议纪要
本次存储行业会议纪要显示,当前先进存储市场仍由三星、海力士、美光主导,国内长鑫(DRAM)、长江存储(NAND)技术仍有1-2代差距,HBM领域海力士先发优势明显但三星、美光追赶提速。2025年Q2起行业库存持续走低至1个月左右,原厂控产推动价格上涨,Q3 DRAM涨约17%、NAND涨约13%,Q4涨幅收窄,明年中旬前价格难跌。HBM因与AI绑定紧密,2026年产能约32.6万片/月仍供不应求,HBM3价格约17-18美金/GB,11-12月长协到期预计涨价60%以上,赛道确定性强且毛利率更高,长协占比将提升。国产存储厂商加速追赶,长江存储NAND技术差距缩小,长鑫DRAM仍有代际差,需关注技术突破进度,同时行业存在周期性波动、地缘政治等风险。